氧化鋅薄膜晶格結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、應(yīng)用

        氧化鋅薄膜是一種具有優(yōu)秀的壓電、光電、氣敏、壓敏等性質(zhì)的資料。氧化鋅薄膜的制備方法多樣，薄膜的性質(zhì)取決于不同的摻雜組分，并與制備工藝緊密相關(guān)。簡(jiǎn)述了氧化鋅薄膜的制備方法與根本性質(zhì)與使用，剖析了氧化鋅薄膜研討、使用與開發(fā)現(xiàn)狀，展望了產(chǎn)業(yè)化發(fā)展前景。
　　氧化鋅(氧化鋅)薄膜是一種具有廣泛用處的資料，其功能隨摻雜組分和制備條件的不同而改動(dòng)。長(zhǎng)期以來(lái)，對(duì)氧化鋅薄膜的研討首要會(huì)集在壓電性、透明導(dǎo)電性、光電性、氣敏性、壓敏性等方面。人們用氧化鋅薄膜做成了聲表面波諧振器、壓電器件、太陽(yáng)電池透明電極和增透膜、液晶顯示器透明電極、氣敏濕敏傳感器等，在諸多范疇得到了很好的使用。近年來(lái)，跟著薄膜制備技能的發(fā)展，氧化鋅的P型摻雜和PN結(jié)制造，使用氧化鋅制造紫外半導(dǎo)體激光器，氧化鋅薄膜光泵浦紫外受激發(fā)射的研討成為新式的前沿課題。本文對(duì)氧化鋅薄膜的結(jié)構(gòu)、根本性質(zhì)、最新制備技能及開發(fā)使用研討進(jìn)行了總述，并對(duì)該資料的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了討論。
　　氧化鋅薄膜的晶格結(jié)構(gòu)：

　　優(yōu)質(zhì)的氧化鋅薄膜具有C軸擇優(yōu)取向成長(zhǎng)的很多晶粒，每個(gè)晶粒都是成長(zhǎng)杰出的六角形纖鋅礦結(jié)構(gòu)。依照一般的晶體學(xué)模型，氧化鋅晶體是由氧的六角密堆積和鋅的六角密堆積反向嵌套而成的，晶格常數(shù)a=0.325nm，c=0.521nm，配位數(shù)為4:4，每一個(gè)鋅原子都坐落4個(gè)相鄰的氧原子所構(gòu)成的四面體空隙中，但只占其間對(duì)折的氧四面體空隙，氧原子的擺放狀況與鋅原子相同。單位晶格中含有兩個(gè)分子，體積v=0.047615nm，。因而這種結(jié)構(gòu)比較敞開，空隙原子的構(gòu)成焙比較低，半徑較小的組成原子簡(jiǎn)單變成空隙原子，如氧化鋅中Zn的濃度比較高。化學(xué)計(jì)量比的氧化鋅為寬帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度約3.3eV，本征氧化鋅薄膜的電阻率高于106 Ω·cm改動(dòng)成長(zhǎng)、摻雜或退火條件，可構(gòu)成簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，導(dǎo)電功能大幅度進(jìn)步，電阻率可降低到10-4 Ω·cm數(shù)量級(jí)。

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