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    氧化鋅生長方向在低溫沉積時比較多變

    發(fā)布時間:2017-11-19 12:37 作者:氧化鋅

     氧化鋅廠家:氧化鋅納米資料與Cu納米棒異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的構(gòu)成首要受溫度的影響。直接在納米碳資料外表成長氧化鋅納米線則必須有催化劑的誘導,并且隨堆積溫度的升高氧化鋅的形狀由線到棒最終構(gòu)成顆粒。
      各種氧化鋅微/納米資料的晶體結(jié)構(gòu)及成長行為,對評論其發(fā)生共同性能的原因,設(shè)計新式功用資料,以及進一步拓寬氧化鋅資料的使用領(lǐng)域都有重要意義。
      氧化鋅是一種具有優(yōu)異壓電和光電特性的直接帶隙寬禁帶半導體資料,多變的形狀結(jié)構(gòu)直接決議其物理性質(zhì)及使用潛力。
      氧化鋅廠家在高溫堆積時催化劑顆粒出現(xiàn)在納米帶的頂部,納米帶的成長方向受催化劑晶格匹配的影響。研討中還使用催化劑或誘導劑的效果合成了梳子狀氧化鋅資料,并完成了定向成長。
      氧化鋅成長方向在低溫堆積時比較多變,在高溫堆積時其成長方向僅為10-10或2-1-10.最終,在碳熱復原過程中評論了氧化鋅與炭布、碳納米管(CNTs)及銅納米棒陣列復合資料的成長行為。研討發(fā)現(xiàn),大尺度炭資料易于與氧化鋅納米資料構(gòu)成復合物。

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